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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LLEPC2016KKT1R0M
TAIYO YUDEN
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1 | 1.0uH±20%, 3.5A, 0806/2016 (EIA/JIS) INDUCTORS [Wire-wound Metal Power Inductors MCOIL™ LLEP series for Medical Devices classified as GHTF Classes A or B (Japan Classes I or II)] | Other | LLEPC2016KKT1R0M |
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LLEPC2012KKTR47M
TAIYO YUDEN
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1 | INDUCTORS [Wire-wound Metal Power Inductors MCOIL™ LLEP series ,0.47 uH ± 20 % ,4.2 A ,-40 to +125 ℃ . | Other | LLEPC2012KKTR47M |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LLEPC2012HKTR47M
TAIYO YUDEN
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1 | 0.47uH±20%, 3.7A, 0805/2012 (EIA/JIS) INDUCTORS [Wire-wound Metal Power Inductors MCOIL™ LLEP series for Medical Devices classified as GHTF Classes A or B (Japan Classes I or II)] | Other | LLEPC2012HKTR47M |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2031
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET, DIE-24 | EPC2031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2030
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET, DIE-24 | EPC2030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2039ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 80V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-9 | EPC2039ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2045
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-15 | EPC2045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2007C
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-5 | EPC2007C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2038ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.90 X 0.90 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-4 | EPC2038ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2012C
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-4 | EPC2012C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2016
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC2016 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC20-1200
Regal Electronics
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1 | Power Transformer, 24VA | EPC20-1200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2046ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor | EPC2046ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2032
Efficient Power Conversion
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1 | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | EPC2032 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2034ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 4.60 X 2.60 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-24 | EPC2034ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC20-220
Regal Electronics
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1 | Power Transformer, 4.4VA | EPC20-220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2010
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-7 | EPC2010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2020
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-30 | EPC2020 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2039
Efficient Power Conversion
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1 | TRANS GAN 80V BUMPED DIE | EPC2039 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2027ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Nitride, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-12 | EPC2027ENGR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2045ENGRT
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor | EPC2045ENGRT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2014
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-5 | EPC2014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2010CENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 3.60 X 1.60 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-7 | EPC2010CENGR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2065
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET, DIE-8 | EPC2065 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2033
Efficient Power Conversion
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1 | TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE | EPC2033 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||