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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LLEPC2012KKTR47M
TAIYO YUDEN
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1 | INDUCTORS [Wire-wound Metal Power Inductors MCOIL™ LLEP series ,0.47 uH ± 20 % ,4.2 A ,-40 to +125 ℃ . | Other | LLEPC2012KKTR47M |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LSEPC2016KKTR47M
TAIYO YUDEN
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1 | Wire-wound Metal Power Inductors 0.47uH±20%, 4.7A, 26 mΩ, 1 MHz, -40 to +125 ℃, 0806/2016 (EIA/JIS) | Other | LSEPC2016KKTR47M |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LSEPC2016KKT2R2M
TAIYO YUDEN
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1 | INDUCTORS [Wire-wound Metal Power Inductors MCOIL™ LSEP series for General Electronic Equipment] | Other | LSEPC2016KKT2R2M |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LLEPC2016KKTR47M
TAIYO YUDEN
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1 | Wire-wound Metal Power Inductors 0.47uH±20%, 4.7A, 0806/2016 (EIA/JIS) | Other | LLEPC2016KKTR47M |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LLEPC2012HKTR47M
TAIYO YUDEN
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1 | 0.47uH±20%, 3.7A, 0805/2012 (EIA/JIS) INDUCTORS [Wire-wound Metal Power Inductors MCOIL™ LLEP series for Medical Devices classified as GHTF Classes A or B (Japan Classes I or II)] | Other | LLEPC2012HKTR47M |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LLEPC2016KKT1R0M
TAIYO YUDEN
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1 | 1.0uH±20%, 3.5A, 0806/2016 (EIA/JIS) INDUCTORS [Wire-wound Metal Power Inductors MCOIL™ LLEP series for Medical Devices classified as GHTF Classes A or B (Japan Classes I or II)] | Other | LLEPC2016KKT1R0M |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2045
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-15 | EPC2045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2038ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2038ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2007C
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2007C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2030
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET | EPC2030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2039ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 80V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2039ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2031
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET | EPC2031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC20-1200
Regal Electronics
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1 | Power Transformer, 24VA | EPC20-1200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2012C
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2012C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2032
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET | EPC2032 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2016
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2016 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2046ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2046ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2010
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2020
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2020 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC20-220
Regal Electronics
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1 | Power Transformer, 4.4VA | EPC20-220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2034ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2034ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2035
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET | EPC2035 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2047
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2047 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2040
Efficient Power Conversion
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | EPC2040 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2032ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2032ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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