Showing 25 of 138 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FES3GTRTS
Fagor Electrónica
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB | FES3GTRTS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GR6
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB | ES3GR6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G/57T
Vishay Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB | ES3G/57T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
JCET Group
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1 | Super Fast Recovery Rectifier Diode ES3A through ES3J in SMBG package, 3 A average forward current, 50 to 600 V repetitive peak reverse voltage, high surge current capability, operating junction temperature up to 150 °C. | ES3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GC
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount super fast recovery diode in SMC/DO-214AB package, 50 to 600V repetitive reverse voltage, 3.0A average rectified current, 35ns reverse recovery time, low forward voltage drop, glass passivated junction.Surface mount super fast recovery diodes in SMC/DO-214AB package, rated for 50 to 600V repetitive reverse voltage, 3.0A average rectified current, 100A peak forward surge, with 35ns reverse recovery time and low forward voltage drop. | ES3GC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | Fast Recovery Diode, Case Style : SMC; IAV (A) : 3; VRRM (V) : 400; IFSM (A) : 100; VF (V): 1.25; @IAV (A): 3; IR (µA) TA=25ºC: 10; TRR (nS) : 35 | ES3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G (ER3G)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | ES3G(ER3G) is a surface mount superfast recovery rectifier diode with 400 V peak reverse voltage, 3 A average forward current, 35 ns reverse recovery time, low forward voltage drop, and glass passivated junction for high reliability. | ES3G (ER3G) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
Jinan Jingheng Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode | ES3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA | ES3GB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
Taitron Components Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB | ES3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AES3G
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 700V V(RRM), Silicon, DO-214AB | AES3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB-AR4G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA | ES3GB-AR4G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
Frontier Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN | ES3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GBF1
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA | ES3GBF1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
Galaxy Microelectronics
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon | ES3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), DO-214AA | ES3GB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA | ES3GB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB-AR5G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA | ES3GB-AR5G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GV-W
Rectron Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB | ES3GV-W |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM) | ES3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GHV6G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB | ES3GHV6G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB
Lite-On Semiconductor Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon | ES3GB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount super fast recovery diodes in SMC/DO-214AB package, rated 50 to 600V, 3.0A average rectified current, 100A peak surge, 35ns reverse recovery time, operating junction temperature -65 to +150°C.Surface mount super fast recovery diodes in SMC/DO-214AB package, rated 50 to 600V, 3.0A average rectified current, 100A non-repetitive surge, 35ns reverse recovery time, operating junction temperature -65 to +150°C.Surface mount super fast recovery diodes in SMC/DO-214AB package, 50 to 600V reverse voltage range, 3.0A average rectified current, 100A peak surge current, 35ns reverse recovery time, low forward voltage drop, glass passivated junction, operating temperature -65 to +150°C. | ES3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB
SLKOR
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1 | ES3GB |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GF
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | Surface mount superfast recovery rectifier with 50 to 600 V reverse voltage, 3 A forward current, low profile SMAF package, glass passivated junction, and lead-free design compliant with EU RoHS directives. | ES3GF |
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