Showing 25 of 81 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RFD7N10LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD8P06LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD8P06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RF1S45N06LESM9A
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S45N06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RF1S45N06LESM9A
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S45N06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD15N06LESM9A
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD15N06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RLD03N06CLESM9A
Harris Semiconductor
|
0 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RLD03N06CLESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD16N06LESM9A
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4UTBESM96.0
Fox Electronics
|
1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 96MHz Nom | FC4UTBESM96.0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD3055LESM9A
Rochester Electronics LLC
|
1 | 11A, 60V, 0.107ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252 VARIANT, 3 PIN | RFD3055LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD8P06LESM9A
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD8P06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RF1S40N10LESM9A
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S40N10LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD8P06ESM9A
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD8P06ESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ESM952R-M139
Gentron Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | ESM952R-M139 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RF1S45N06LESM9A
Rochester Electronics LLC
|
1 | 45A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S45N06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STEESM9.000
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STEESM9.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD7N10LESM9A
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD8P06ESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD8P06ESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STCESM9.000
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STCESM9.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RF1S30N06LESM9A
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S30N06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RF1S30N06LESM9A
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S30N06LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RLD03N06CLESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RLD03N06CLESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD7N10LESM9A
Rochester Electronics LLC
|
1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, 3 PIN | RFD7N10LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STBESM9.0
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STBESM9.0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD7N10LESM9A
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STEESM9.000001
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9.000001MHz Nom | FC4STEESM9.000001 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||