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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS30VS-06-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS30VS-06-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS30VSJ-2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS30VSJ-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS30VSJ-3-A1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FS30VSJ-3-A1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS30VSJ-3-T21
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FS30VSJ-3-T21 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS30VS-06-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS30VS-06-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS30VS-3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS30VS-3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS30VS-3-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS30VS-3-T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS30VS-2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS30VS-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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