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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HW-11-08-F-S-431-SM
Samtec Inc
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1 | Board Stacking Connector, 11 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking | HW-11-08-F-S-431-SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSR6FS431V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 430ohm, 100V, -5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | TSR6FS431V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UFS4310HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UFS4310HL-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UFS4310HG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UFS4310HG-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HW-12-08-F-S-431-SM
Samtec Inc
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1 | Board Stacking Connector, 12 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking | HW-12-08-F-S-431-SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310ZTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310ZTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS431
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS431 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFS43-12002400-25-10P-44
Amphenol Narda-Miteq
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1 | Wide Band Low Power Amplifier, 12000MHz Min, 24000MHz Max | AFS43-12002400-25-10P-44 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBW1FS-431JTW
RCD Components Inc
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1 | 1W, 430ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount | MBW1FS-431JTW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBW1FS-431JT
RCD Components Inc
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1 | 1W, 430ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount | MBW1FS-431JT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BW1/2FS-431JBW
RCD Components Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 430ohm, 250V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mount | BW1/2FS-431JBW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BW1/2FS-431JBQ
RCD Components Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 430ohm, 250V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mount | BW1/2FS-431JBQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSR3FS431V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 430ohm, 50V, -5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | TSR3FS431V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310Z
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310ZTRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310ZTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSR8FS431V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 430ohm, 200V, -5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | TSR8FS431V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS4310TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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