Showing 25 of 101 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GP10N/60
Vishay Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1100V V(RRM), Silicon, DO-204AL | GP10N/60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GP10N/54
Vishay Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1100V V(RRM), Silicon, DO-204AL | GP10N/54 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GP10N-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1100V V(RRM), Silicon, DO-204AL | GP10N-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60RUFDTU
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP10N60RUFDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10NB60SDFP
STMicroelectronics
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | STGP10NB60SDFP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGP10N50
Littelfuse Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel | IXGP10N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGP10N100A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel | IXGP10N100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGP10N80A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 800V V(BR)CES, N-Channel | IXGP10N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10NC60KT4
STMicroelectronics
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | STGP10NC60KT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DGP10N65CTL0
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | DGP10N65CTL0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGP10N60A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IXGP10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGP10N90A
Littelfuse Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | IXGP10N90A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGP10N60UNDF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | FGP10N60UNDF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60RUFDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP10N60RUFDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGP10N90
Littelfuse Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | IXGP10N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60RUF
Samsung Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220 | SGP10N60RUF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60AXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP10N60AXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP10N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60AXK
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP10N60AXK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60A
Rochester Electronics LLC
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1 | 20A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SGP10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60A
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DGP10N65CTL1K
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | DGP10N65CTL1K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGP10N60UNDF
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | FGP10N60UNDF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP10N60RUFDTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | SGP10N60RUFDTU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10NB37LZ
STMicroelectronics
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 375V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | STGP10NB37LZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||