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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2021(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2005
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012-90STL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2012-90STL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2025-90S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2025-90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007-90L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2007-90L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2017-90L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2017-90L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2025-90STL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2025-90STL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021-90S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2021-90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2015RJRP
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2015RJRP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2021(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2001-90
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | HAF2001-90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2012(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2011L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2011S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2011(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2011(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021-90STR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2021-90STR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2007L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2002
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.033ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | HAF2011(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.065ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | HAF2012(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.065ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | HAF2012(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2008
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2008 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2015RJ-EL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2015RJ-EL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012-90L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2012-90L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||