Showing 25 of 115 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IBC20AES4812-AKY
Artesyn Embedded Technologies
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1 | DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 240W, Hybrid | IBC20AES4812-AKY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IBC20AES4812-RAY
Vertiv Inc
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1 | DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 240W, Hybrid | IBC20AES4812-RAY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IBC20AES4812-RAKY
Artesyn Embedded Technologies
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1 | DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 240W, Hybrid | IBC20AES4812-RAKY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IBC20AES4812-EY
Artesyn Embedded Technologies
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1 | DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 240W, Hybrid | IBC20AES4812-EY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-024PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20UD
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20UD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20UD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20UD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-004
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-029PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20WPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20WPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20W
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20FDPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14.3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20FDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20GPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20GPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20GPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20GPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||