Showing 25 of 202 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV8R2M
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, IND,WIREWOUND,8.2UH,20% +TOL,20% -TOL | IHB2BV8R2M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60S-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB22N60S-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2EB100K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 10 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | IHB2EB100K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV820K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 82uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IHB2BV820K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2EB8R2M
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 8.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | IHB2EB8R2M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N60EL-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.197ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB22N60EL-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2EB220K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 22uH, 10%, 1 Element | IHB2EB220K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB22N65E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB22N65E-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N65ET5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB24N65ET5-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV390K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 39uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IHB2BV390K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV271K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, IND,WIREWOUND,270UH,10% +TOL,10% -TOL | IHB2BV271K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2EB2R2M
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 2.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core | IHB2EB2R2M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2EB390K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 39 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | IHB2EB390K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV3R3M
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, IND,WIREWOUND,3.3UH,20% +TOL,20% -TOL | IHB2BV3R3M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2EB2R7M
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 2.7uH, 20%, 1 Element | IHB2EB2R7M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB20N50E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 500V, 0.184ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB20N50E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2EB102K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 1000uH, 10%, 1 Element | IHB2EB102K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV100K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 10uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IHB2BV100K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB24N65EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB24N65EF-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB23N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB23N60E-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2EB331K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 330 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | IHB2EB331K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV680K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 68uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IHB2BV680K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV221K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, IND,WIREWOUND,220UH,10% +TOL,10% -TOL | IHB2BV221K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB21N65EF-T5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SIHB21N65EF-T5-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHB2BV180K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, IND,WIREWOUND,18UH,10% +TOL,10% -TOL | IHB2BV180K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||