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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R150CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R150CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R075CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R075CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R150CFDATMA2
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 | IPB65R150CFDATMA2 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R065C7ATMA2
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | IPB65R065C7ATMA2 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R310CFDATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R310CFDATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R190CFDATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R190CFDATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R420CFDATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R420CFDATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R600C6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R600C6ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R190CFDAATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R310CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R310CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R045C7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R045C7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R280C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R280C6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R110CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R110CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R045C7ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R045C7ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R190C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R190C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R065C7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R065C7ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R125CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R125CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R380C6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R380C6ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R190CFDA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R190CFDA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R145CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R145CFD7A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R125C7ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R125C7ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R310CFDATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R310CFDATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R041CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 650V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R041CFD7 |
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IPB65R190C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R190C6 |
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IPB65R600C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R600C6 |
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