Showing 25 of 108 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R500CEAUMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S2-14
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 55V, 0.0144ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S2-14 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R280CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R280CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S2L13XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S2L13XT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3L06ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3L06ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S4L08ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S4L08ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N04S3-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N04S3-09 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N04S408ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N03S2-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N03S2-07 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S2-14
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S2-14 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R500CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R500CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3-15
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 55V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S3-15 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R650CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R650CEBTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N03S4L06ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N03S4L06ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S4L-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 60V, 0.0078ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S4L-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R650CEAUMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3L-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 55V, 0.0078ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S3L-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3L-13
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 55V, 0.0126ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S3L-13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3L-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3L-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3-09 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N03S4L-06
Infineon
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1 | Infineon IPD50N03S4L-06 N-channel MOSFET Transistor, 50 A, 30 V, 3-Pin TO-252 | IPD50N03S4L-06 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3L-06
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 55V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S3L-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N04S410ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N04S410ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R500CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R500CEATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N03S2L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N03S2L-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||