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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R950CFDATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 650V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R950CFDATMA2 |
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IPD65R400CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R400CEAUMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD65R380E6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD65R380E6ATMA1 |
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IPD65R420CFDATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R420CFDATMA2 |
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IPD65R250E6XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD65R250E6XTMA1 |
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IPD650P06NM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD650P06NM |
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