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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD90N06S4L03ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N06S4L03ATMA2 |
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IPD90P03P404ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90P03P404ATMA2 |
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IPD90N06S3L05ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD90N06S3L05ATMA1 |
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IPD90N03S4L-02
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD90N03S4L-02 |
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IPD90N10S4-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N10S4-06 |
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IPD900P06NM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.4A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD900P06NM |
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IPD90N06S3L-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD90N06S3L-05 |
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IPD90N03S4L02ATMA1/SAMPLE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N03S4L02ATMA1/SAMPLE |
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IPD90N06S4L03ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N06S4L03ATMA1 |
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IPD90P03P4L-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90P03P4L-04 |
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IPD90N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N06S4L05ATMA2 |
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IPD90N04S4-02
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N04S4-02 |
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IPD90N06S407ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N06S407ATMA2 |
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IPD90P04P4L-04
Rochester Electronics LLC
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1 | 90A, 40V, 0.0043ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD90P04P4L-04 |
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IPD90N06S4-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N06S4-04 |
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IPD90R1K2C3BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD90R1K2C3BTMA1 |
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IPD90N04S6-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N04S6-07 |
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IPD90N04S304ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N04S304ATMA1 |
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IPD90N06S4-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N06S4-07 |
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IPD90N04S402ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N04S402ATMA1 |
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IPD90P03P404ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90P03P404ATMA1 |
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IPD90R1K2C3ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90R1K2C3ATMA1 |
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IPD90N03S4L-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N03S4L-03 |
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IPD90N06S4L06ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N06S4L06ATMA1 |
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IPD90N06S3L-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD90N06S3L-07 |
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