Showing 25 of 193 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF151R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF151R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150EBPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF150EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF151R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF151R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF152
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150DM115XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF150DM115XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF151
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150ED
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF150ED |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF152P
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF152P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF152
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF153P
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF153P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF150R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150SMD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF150SMD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1503
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1503 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150ECPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF150ECPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF151
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,40A I(D),TO-204AE | IRF151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF151
Rochester Electronics LLC
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1 | 40A, 60V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRF151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF151R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF151R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150S1.75KOHMF
Nikkohm Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 112W, 1750ohm, 1% +/-Tol, 260ppm/Cel, Chassis Mount, LEAD FREE | IRF150S1.75KOHMF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF152
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1503LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1503LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF150CF
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF150CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||