Showing 25 of 308 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF510AJ69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510A16A
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510A16A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510WC
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510WC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-012PBF |
0
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IRF512-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-004 |
0
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IRF510
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF510 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF510 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510A
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF510 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511-001PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-003 |
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