Showing 25 of 115 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510S
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510S |
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IRF510PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510PBF |
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IRF510-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-019 |
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IRF510-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-003PBF |
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IRF510-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-013PBF |
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IRF510-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-017 |
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IRF510STRL
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510STRL |
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IRF510W
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510W |
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IRF510-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-017PBF |
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IRF510STRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510STRLPBF |
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IRF510AF
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510AF |
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IRF510STRL
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510STRL |
0
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IRF510UA
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510UA |
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IRF510-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-013 |
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IRF510U2
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510U2 |
0
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IRF510STRRPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-012 |
0
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IRF510-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-011 |
0
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IRF510STRLPBF
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) | IRF510STRLPBF |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-002PBF |
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IRF510-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-031PBF |
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IRF510A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510A |
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IRF510FX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510FX |
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IRF510LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510LPBF |
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