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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5810PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5810PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5804
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 0.198ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5804 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5802TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5802TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803D2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF5803D2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5804TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 0.198ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5804TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5802
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5802 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5800
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5800 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5810
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5810 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5802PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5802PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5852TRPBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5852TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5852
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5852 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5801TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5801TRPBF-1 |
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IRF5850
Infineon
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1 | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP | IRF5850 |
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