Showing 25 of 356 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7107
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | IRF7107 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF712-005PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 1.7A, 400V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF712-005PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF710-012
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-012 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF712
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF712 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF711-013
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF711-013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF712R
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1.7A, 400V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF712R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF713
Advanced Microelectronic Products Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF711PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 2A, 350V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF711PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF712-001
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF712-001 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF710A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF710A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF7103
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF7103 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF712-006PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF712-006PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF711R
Intersil Corporation
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,2A I(D),TO-220AB | IRF711R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF710-024
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-024 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF711-011PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF711-011PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF710
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF711-013
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF711-013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF710PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRF710PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF710J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF710J69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF711-009
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF711-009 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF710FPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710FPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF711-006
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF711-006 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF713-011
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713-011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF710-001PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF710-001PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF713-001PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713-001PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||