Showing 25 of 423 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF721-010 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720B
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.3A, 400V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF720B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720-018PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF721-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7204TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7204TR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF721-001 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF723-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF721-003 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF723 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 400V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF722-003PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723
National Semiconductor Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,2.8A I(D),TO-220AB | IRF723 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720S
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN | IRF720S |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7203TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7203TR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720-012
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720-012 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF720 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720F
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720F |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720-011 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.3A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF721 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF723-010 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF721-006 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF722-010PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 400V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF722-005PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 350V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF723-005PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF723-005 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||