Showing 25 of 341 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 450V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF823-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF821-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF821-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF8252PBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF8252PBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820ASPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820ASPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF822-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820ASTRR
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820ASTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF822-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF822-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF822-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF821-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820ALPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF820ALPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF822-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||