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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF832
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4A, 500V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF832 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF8313PBF
Infineon
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1 | Infineon IRF8313PBF Dual N-channel MOSFET, 9.7 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC | IRF8313PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF833-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF833-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF833R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF833R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF8327SPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | IRF8327SPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830STRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | IRF830STRR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRF830PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830STRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | IRF830STRL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830AL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | IRF830AL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3 | IRF830SPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF833-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF833-005 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF831
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF831 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF832-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF832-009 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830S
Motorola Mobility LLC
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1 | 4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF830S |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830ASTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF830ASTRLPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF831-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF831-002 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF832-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4A, 500V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF832-002PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF833-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF833-013 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830FPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830FPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF833-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF833-002 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF830A |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF832
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF832 |
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IRF830R
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | IRF830R |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-002PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||