Showing 25 of 202 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG32 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-015PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFBG32-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.2A, 1000V, 13.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG22-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20STRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-005PBF |
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