Showing 25 of 125 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD212R
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD212R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD2Z0
Rochester Electronics LLC
|
1 | 320mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | IRFD2Z0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD2Z1
Harris Semiconductor
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD2Z1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD221
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,800MA I(D),TO-250 | IRFD221 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD213
International Rectifier
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD213
General Electric Solid State
|
1 | Transistor | IRFD213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD212
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD212 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD2Z0
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD2Z0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD222
Harris Semiconductor
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD210PBF
Vishay Siliconix
|
1 | TRANSISTOR 600 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4, FET General Purpose Small Signal | IRFD210PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD213
Harris Semiconductor
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD213
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD213
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD220
Intersil Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD221
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD211R
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD211R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD2Z0
General Electric Solid State
|
1 | Transistor | IRFD2Z0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD221
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD220
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD221
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD220
International Rectifier
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD2Z3
Harris Semiconductor
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD2Z3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD220PBF
Vishay Siliconix
|
1 | TRANSISTOR 800 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4, FET General Purpose Small Signal | IRFD220PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD211
Harris Semiconductor
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD211 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD211R
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD211R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||