Showing 25 of 114 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFE9024
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9024 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9210
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 200V, 3.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9210 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9130E4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130E4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9110
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 2.2A, 100V, 1.38ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-14 | IRFE9110 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9230-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 0.825ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9230-JQR-BE4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9120E4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC4-18 | IRFE9120E4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9130-JQR-AE4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130-JQR-AE4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9220-JQR-B
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE9220-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9110-JQR-B
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 100V, 1.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-14 | IRFE9110-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9024-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.285ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE9024-JQR-BE4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9024-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 5.4A, 600V, 0.285ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9024-JQR-BE4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9120
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | IRFE9120 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9220E4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE9220E4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9220PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9220PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9110-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 2.2A, 100V, 1.38ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-14 | IRFE9110-JQR-BE4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9230SCX
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9230SCX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9230-JQR-B
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 0.825ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9230-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9230-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 3.6A, 200V, 0.825ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9230-JQR-BE4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9024-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 5.4A, 600V, 0.285ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9024-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9130SCX
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9130SCX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9120-JQR-B
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC4-18 | IRFE9120-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9130-JQR
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130-JQR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9130-JQR
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 6.1A, 100V, 0.345ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9130-JQR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9220
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE9220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFE9120SCXPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9120SCXPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||