Showing 25 of 110 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5015TRPBF
Infineon
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1 | MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC | IRFH5015TRPBF |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5206TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5206TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5301PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5301PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5250DTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 25V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5250DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5302PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5302PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5206TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5306PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5306PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5020TR2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5020TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5301TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5301TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5104TR2PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5104TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5215TR2PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5215TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5250DTR2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 25V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5250DTR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5053PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5053PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5204TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5204TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5306TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5306TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5210TR2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.0149ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5210TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5220TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 0.0999ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5220TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5302DTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5302DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5220TR2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 0.0999ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5220TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5215TR2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5215TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5204TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5204TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5250DTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 25V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5250DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5302DTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5302DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5004TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5004TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5025TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5025TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||