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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-205
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-205 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP048 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064{TO-247AC}
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 138A I(D), 60V, 1.96ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP064{TO-247AC} |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-206PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-206PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-201
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-201 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP054 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N-201
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP044N-201 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048R
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP048R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-205
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-205 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054N-205
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP054N-205 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP054N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-201PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-201PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-204
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-204 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054N-204PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP054N-204PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N-205PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP044N-205PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP054 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N-205
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP044N-205 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-208PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-208PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-205
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-205 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N-202
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP044N-202 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-201PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-201PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP054PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N-208
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP044N-208 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-202
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-202 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP048 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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