Showing 25 of 309 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP253 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253
Intersil Corporation
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1 | 27A, 150V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP253 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP242
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP242 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP242
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP242 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250B
Rochester Electronics LLC
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1 | 32A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | IRFP250B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP240B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP240B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP245
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, | IRFP245 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP245PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP245PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP264N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, PLASTIC PACKAGE-3 | IRFP264N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP243
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP243 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP251
Rochester Electronics LLC
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1 | 33A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP264PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, TO-247AC, 3 PIN | IRFP264PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP253 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP2907ZPBF
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | IRFP2907ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP251R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP251R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP257
Intersil Corporation
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1 | 21A, 275V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP257 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP260NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRFP260NPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP245
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP245 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP234
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFP234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP241
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP241 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP260MPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | IRFP260MPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP244B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP244B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP241
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP241 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250MPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | IRFP250MPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||