Showing 25 of 121 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR020TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR020TR |
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IRFR024TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | IRFR024TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024PBF
Vishay
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1 | IRFR024PBF, N-channel MOSFET Transistor 14 A 60 V, 3-Pin D-PAK | TO-XXX (Inc. DPAK) | IRFR024PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024NTRLPBF
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3/2 | IRFR024NTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024TRLPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR024TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR014A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR014A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024NTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR024NTRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR014
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR014 |
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IRFR034A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR034A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR024TRL |
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IRFR010
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR024TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024NTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR024NTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR014
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR014 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR020-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR020-T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024NTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRFR024NTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR024TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR014TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR014TRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR024TRLPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR024TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR010PBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3/2 | IRFR010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR010PBF
Vishay
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1 | TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | IRFR010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR014PBF-BE3
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3/2 | IRFR014PBF-BE3 |
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IRFR010-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR010-T1 |
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IRFR025-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR025-T1 |
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IRFR025
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR025 |
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