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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS141
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS141 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS130
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z0TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.82A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z0TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS150A
Rochester Electronics LLC
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS150A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z0TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.82A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z0TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50A
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS11N50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50APBF |
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IRFS1Z3TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AB | IRFS1Z3TRR |
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IRFS150A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS150A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AB | IRFS1Z3TRL |
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IRFS1Z3TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z3TRPBF |
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IRFS11N50ATRL
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50ATRL |
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