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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DTRRPBF |
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IRFS531
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS531 |
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IRFS530A
Rochester Electronics LLC
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1 | 10.7A, 100V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | IRFS530A |
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IRFS59N10D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS59N10D |
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IRFS532
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS532 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DTRRPBF |
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IRFS5615TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5615TRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS5615TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5615TRLPBF |
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IRFS5620TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.0775ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5620TRLPBF |
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IRFS5620PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.0775ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5620PBF |
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