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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS614B
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.8A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | IRFS614B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS654A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS654A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS644B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS644B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS645
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS645 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS650B
Rochester Electronics LLC
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1 | 28A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | IRFS650B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS654B
Rochester Electronics LLC
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1 | 21A, 250V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | IRFS654B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS642
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS642 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS644A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS644A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS650A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS650A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS630A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS630A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS621
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS621 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS610B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS610B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS614A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS614A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS654B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS654B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS634
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS634 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS634A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS634A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS614A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS614A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS634B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS634B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS6535TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS6535TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS6535TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS6535TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS6535TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS6535TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS6535
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS6535 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS6535TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS6535TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS6535
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS6535 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS730-SM-C
Taitron Components Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS730-SM-C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||