Showing 25 of 82 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFU420
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU420 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU410BTU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 500V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU410BTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4104PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4104PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU422
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU422 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU48Z
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU48Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU410B
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 500V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU410B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU420A
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU420A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU410ATU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU410ATU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4105PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4105PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU420APBF
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU420APBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU430BTU
Rochester Electronics LLC
|
1 | 3.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | IRFU430BTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU430A
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU430A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU421
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU421 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4510PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU420B
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU420B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU48ZPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU48ZPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU420BTU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU420BTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4104PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4104PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU420
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU420 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU420BTU
Rochester Electronics LLC
|
1 | 2.3A, 500V, 2.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | IRFU420BTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4615PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4615PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4105Z
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4105Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFU4615
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | AUIRFU4615 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFU4292
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFU4292 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFU4105Z
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | AUIRFU4105Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||