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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57260DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57160D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57160D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM54064UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54064UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53160U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53160U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57160U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57160U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM5450
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHM5450 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53064DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53064DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM58260U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM58260U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57160DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57160DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57260DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53Z60UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53Z60UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57260SESCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM57260SESCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM58064U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM58064U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57260SEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM57260SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM54160DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54160DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53160UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53160UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM58Z60
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM58Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57160SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM57160SCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53064PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM53064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57260UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57064U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57064U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM54260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM54260 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57Z60DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57Z60DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM54Z60UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54Z60UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM54260DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54260DPBF |
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