Showing 25 of 173 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44N-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44-031PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44ZSPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRLZ44ZSPBF |
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IRLZ44N-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-003PBF |
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IRLZ44NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44NPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44-006 |
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IRLZ44N-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-003 |
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IRLZ44STRR
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRLZ44STRR |
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IRLZ44N-007PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-007PBF |
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IRLZ44NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRLZ44NS |
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IRLZ44ZSTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRLZ44ZSTRLPBF |
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IRLZ44N-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-031 |
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IRLZ44N-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-029PBF |
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IRLZ44A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44A |
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IRLZ44N-024PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44N-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44-011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44N-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44N-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ44N-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-003 |
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IRLZ44N-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-004PBF |
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IRLZ44N-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-005 |
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IRLZ44N-029
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ44N-029 |
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