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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR3715ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3715ZTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR3717PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3717PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RBR55LR3710BR
TT Electronics Resistors
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1 | RESISTOR, WIRE WOUND, 0.15W, 0.1%, 90ppm, 0.371ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED | RBR55LR3710BR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR3714HR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3714HR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR3714ZTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 20V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3714ZTR |
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IRLR3715Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 20V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3715Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR3715ZTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 20V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3715ZTR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RBR75LR3710BR
TT Electronics Resistors
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1 | RESISTOR, WIRE WOUND, 0.125W, 0.1%, 90ppm, 0.371ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED | RBR75LR3710BR |
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IRLR3717
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3717 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR3717TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3717TRPBF |
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IRLR3714ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3714ZPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR3717TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3717TRPBF |
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IRLR3717TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR3717TRLPBF |
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