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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUJ-E1B-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN | NP110N04PUJ-E1B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUG-E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-E2-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1101UM
Xiamen Wanming Electronics Co Ltd
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 63V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1uF | NP1101UM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100SCMCT3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, 30A, DO-214AA | NP1100SCMCT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUK-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUK-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG-E1-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PDG-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100SET3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max | NP1100SET3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUJ-E2B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N03PUG-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PDG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 30V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N03PUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUJ-E1B-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUJ-E1B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D90NP110M1TAT
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 20% +Tol, 20% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 1009 | D90NP110M1TAT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D90NP110M1ADT
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 20% +Tol, 20% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 1009 | D90NP110M1ADT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D70NP110A1MDE
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 0.4545% +Tol, 0.4545% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 0707 | D70NP110A1MDE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D90NP110L1PDD
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 15% +Tol, 15% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 1009 | D90NP110L1PDD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D70NP110F1AAT
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 1% +Tol, 1% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 0707 | D70NP110F1AAT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ENP1105M010
Molex
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1 | Circular Connector | ENP1105M010 |
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D70NP110G1TAE
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 2% +Tol, 2% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 0707 | D70NP110G1TAE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AR13TTNP1100N
Viking Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 110ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 1209, | AR13TTNP1100N |
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