Showing 25 of 6814 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUG-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUG-E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100SCMCT3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, 30A, DO-214AA | NP1100SCMCT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1101UM
Xiamen Wanming Electronics Co Ltd
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 63V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1uF | NP1101UM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N03PUG-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PDG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUJ-E1B-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUJ-E1B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUJ-E2B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100SET3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max | NP1100SET3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 30V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N03PUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG-E1-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PDG-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUK-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUK-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP1100SJ911TR
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 11W, 910ohm, 300V, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP1100SJ911TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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560-12.0M-5FNP110-TR
Oscilent Corp
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1 | HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 12MHz Nom | 560-12.0M-5FNP110-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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565-1.544M-5HN-P110
Oscilent Corp
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1 | HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1.544MHz Nom | 565-1.544M-5HN-P110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP1100SJR75B
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 11W, 0.75ohm, 300V, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP1100SJR75B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D70NP110M1AAE
Knowles Precision Devices
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 20% +Tol, 20% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 0707 | D70NP110M1AAE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D70NP110A1SAE
Knowles Precision Devices
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 0.4545% +Tol, 0.4545% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 0707 | D70NP110A1SAE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP1100SF3R57B
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 11W, 3.57ohm, 300V, 1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP1100SF3R57B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D50NP110C1MXE
Knowles Precision Devices
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 2.2727% +Tol, 2.2727% -Tol, NP, -750+/-200ppm/Cel TC, 0.000011uF, Surface Mount, 0605 | D50NP110C1MXE |
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