Showing 25 of 81 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH450
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-210AC | IRFH450 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4210TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4210TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4210DTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4210DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4201TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 25V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4201TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-H(46)2TD-1190
JST Manufacturing
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1 | Board Connector, 46 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal | RF-H(46)2TD-1190 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4251DTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 25V, 0.0046ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4251DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4253DTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4253DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-H(40)2TD-1190
JST Manufacturing
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1 | Board Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal | RF-H(40)2TD-1190 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4201TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 25V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4201TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4209DTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFH4209DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-H(42)2TD-1130
JST Manufacturing
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1 | Board Connector, 42 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal | RF-H(42)2TD-1130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4251DTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 25V, 0.0046ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4251DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH45N06
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC | RFH45N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH450PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-210AC | IRFH450PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH45N06
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFH45N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4209DTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFH4209DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DF38602RFH4V
Renesas Electronics Corporation
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1 | Microcontroller | DF38602RFH4V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4213DTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4213DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HD64F38602RFH4V
Renesas Electronics Corporation
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1 | Microcontroller | HD64F38602RFH4V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HD64F38602RFH4
Renesas Electronics Corporation
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1 | Microcontroller, 16-Bit, FLASH, 4.2MHz, CMOS, PQFP32 | HD64F38602RFH4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH45N06
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFH45N06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4210TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFH4210TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4210PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 25V, 0.00135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH4210PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH4020PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFH4020PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH45N05
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC | RFH45N05 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||