Showing 25 of 93 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF513-012
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-012 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-013PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-013PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-005
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-005 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513
Texas Instruments
|
1 | IRF513 | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-003
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-003 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-005PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-005PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-013
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-012PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-012PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-009
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-009 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-013
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513
FCI Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513
National Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-011PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-011PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-004
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-004 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-002PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-002PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-001
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-001 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-005
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-005 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-006PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-006PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-009PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-009PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513-012PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-012PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF513
Fairchild Semiconductor Corporation
|
0 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||