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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD16N05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N05SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM
Intersil Corporation
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1 | 16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N05SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N05SM_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LE
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N02LSM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N02LSM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM9A_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA VARIANT, 3 PIN | RFD16N05SM9A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N02LSM
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N02LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06SM
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N06SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N03LSM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N03LSM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06SM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N02LSM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N02LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N10
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD16N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05LSM
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD16N05LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD16N05SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD16N05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N10SM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N10SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N10SM
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD16N10SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06SM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD16N06SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N10SM
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD16N10SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N10
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD16N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||