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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820D-1ERFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 66MHz Nom | IM820D-1ERFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS634B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS634B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP2512B619RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3.5W, 619ohm, 46.5457V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | RCP2512B619RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS654BT_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS654BT_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS650B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS650B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801C-62RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom | IM801C-62RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820D-3FRFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 66MHz Nom | IM820D-3FRFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C04-A-RR-FS60PSI-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C04-A-RR-FS60PSI-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BRFS60-P
Cosel USA Inc
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1 | DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 120W, Hybrid | BRFS60-P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BRFS60-I
Cosel USA Inc
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1 | DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 120W, Hybrid | BRFS60-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V07-A-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 2500Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V07-A-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V08-A-UC-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 5000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V08-A-UC-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS644
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS644 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP2512B324RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3.5W, 324ohm, 33.6749V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | RCP2512B324RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C03-A-UC-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C03-A-UC-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP2512W665RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3.5W, 665ohm, 48.2442V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | RCP2512W665RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP1206B150RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2.4W, 150ohm, 18.9737V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP | RCP1206B150RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801C-73RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom | IM801C-73RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS60/RLS60
Mersen Electrical Power
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1 | Electric Fuse, 60A, 600VAC, 10000A (IR), Inline/holder | RFS60/RLS60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V09-A-UC-RR-FS60PSI-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 10000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V09-A-UC-RR-FS60PSI-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS635
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS635 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C03-A-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C03-A-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS6535TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS6535TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801E-72RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom | IM801E-72RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS634A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS634A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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