Showing 25 of 122 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF5%2000VC
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 2000V, 5% +Tol, 5% -Tol, R3L, -2200+/-500ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 2220 | C480RS430PF5%2000VC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430H1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430H1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430H
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF2%4000VEM
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 4000V, 2% +Tol, 2% -Tol, R3L, -2200+/-500ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 2220 | C480RS430PF2%4000VEM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430D1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF5%1000VC
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, R3L, -2200+/-500ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 2220 | C480RS430PF5%1000VC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF2%1000VEM
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 2% +Tol, 2% -Tol, -2200ppm/Cel TC, 0.00043uF, 2220, | C480RS430PF2%1000VEM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430R
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430R2
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430R2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BRS4300CIP20
TE Connectivity
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1 | Board Connector | BRS4300CIP20 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430D1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF2%3000VC
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 3000V, 2% +Tol, 2% -Tol, R3L, -2200+/-500ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 2220 | C480RS430PF2%3000VC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRS430RDC
TE Connectivity
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.0625W, 430ohm, 50V, 0.5% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 1206 | MRS430RDC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRSRS-4-3-01
TR FASTENINGS
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1 | Spacer, Stackable, Round, Nylon 6.6, 6.4x4.8mm | TRSRS-4-3-01 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF2%4000VB
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 4000V, 2% +Tol, 2% -Tol, R3L, -2200+/-500ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 2220 | C480RS430PF2%4000VB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430R3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430R4
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430H
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430H3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430H3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRS430RDF
TE Connectivity
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.0625W, 430ohm, 50V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, 1206 | MRS430RDF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF5%1000VEM
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, R3L, -2200+/-500ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 2220 | C480RS430PF5%1000VEM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF5%3000VEM
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 3000V, 5% +Tol, 5% -Tol, -2200ppm/Cel TC, 0.00043uF, 2220, | C480RS430PF5%3000VEM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C480RS430PF5%2000VEM
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 2000V, 5% +Tol, 5% -Tol, R3L, -2200+/-500ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 2220 | C480RS430PF5%2000VEM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430D2
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430D2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRS430R1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FRS430R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||