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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JABEHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N100JABEHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAAXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N90JAAXHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAAXGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N100JAAXGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAAEHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N90JAAEHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAASGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N100JAASGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAASGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N100JAASGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABSGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABSGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4NA100JABEHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABXGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABXGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JABSHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N90JABSHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JABXGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N100JABXGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAASHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N90JAASHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JABEHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N90JABEHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JABXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N90JABXHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABSHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4NA100JABSHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4NA100JABXHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JAAEHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4NA100JAAEHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JABVGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N90JABVGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAASGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N90JAASGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABSGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N60JABSGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABXHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4NA100JABXHD1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JAAEHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4NA100JAAEHD1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JABVGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N100JABVGU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JAAEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4NA100JAAEHD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAASHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N90JAASHU1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||