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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7108DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7108DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7113DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 100V, 0.134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7113DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7112DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7135DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31.6A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7135DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 60V, 0.00625ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7164DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7192DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.00225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7192DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7115DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7115DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7129DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7119DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7119DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7149DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.7A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7149DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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516BSI7.15K0.25%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 7150ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | 516BSI7.15K0.25%25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7112DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7112DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7190DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7190DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7110DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7110DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7110DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESI71K21S
Microspire
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1 | General Purpose Inductor | ESI71K21S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7113DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 100V, 0.134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7113DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7194DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7194DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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516BSI7150.5%10
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 715ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, 10ppm/Cel, Through Hole Mount | 516BSI7150.5%10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7115DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7115DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7100DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26.1A I(D), 8V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7100DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7114DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 1V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7114DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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58BSI71.51%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 71.5ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 58BSI71.51%100 |
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SI7170DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28.5A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7170DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7170DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28.5A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7170DP-T1-GE3 |
0
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