Showing 18 of 68 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8812DB-T2-E1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI8812DB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840-110LB352
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 13.5ns, CMOS, PBGA352 | ISPLSI8840-110LB352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-90LB492
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 16ns, 840-Cell, CMOS, PBGA492 | ISPLSI8840V-90LB492 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8818EDB-T2-E1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | SI8818EDB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8823EDB-T2-E1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI8823EDB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8805EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI8805EDB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8810
MCC
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0 | Small Signal MOSFETS | SI8810 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8806DB-T2-E1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | SI8806DB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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68BSI8.870.5%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 8.87ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | 68BSI8.870.5%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-125LB272
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 13.5ns, 840-Cell, CMOS, PBGA272 | ISPLSI8840V-125LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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63BSI8.871%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 8.87ohm, 100V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 63BSI8.871%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-60LB272
Rochester Electronics LLC
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1 | EE PLD, 24 ns, PBGA272, THERMALLY ENHANCED, BGA-272 | ISPLSI8840V-60LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTPSI883ZBDFJR
Texas Instruments
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1 | LOAD SWITCH, Fixed, +2.8V, PDSO14 | PTPSI883ZBDFJR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-60LB492
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 24ns, 840-Cell, CMOS, PBGA492 | ISPLSI8840V-60LB492 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8805EDB-T2-E1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI8805EDB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SESI886K1WR
Dearborn Electronics Inc
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1 | GENERAL PURPOSE INDUCTOR | SESI886K1WR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SESI886K1WR
EXXELIA Group
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1 | General Purpose Inductor | SESI886K1WR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8810-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI8810-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||