Showing 25 of 108 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LSI107315T
Tekcon Electronics Corp
|
1 | CAP,AL2O3,100UF,315VDC,10% -TOL,50% +TOL | LSI107315T |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LSI107350T
Tekcon Electronics Corp
|
1 | CAP,AL2O3,100UF,350VDC,10% -TOL,50% +TOL | LSI107350T |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107D-100JE
Integrated Device Technology Inc
|
1 | FCBGA-503, Tray | TSI107D-100JE |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10757
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10757 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10700
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ASI10700 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LSI107400T
Tekcon Electronics Corp
|
1 | CAP,AL2O3,100UF,400VDC,10% -TOL,50% +TOL | LSI107400T |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107C-100JETR
Integrated Device Technology Inc
|
1 | PCI Bus Controller, CMOS, PBGA503, 33 X 33 MM, 2.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, FLIP CHIP, BGA-503 | TSI107C-100JETR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107C-100JE
Tundra Semiconductor Corp
|
1 | PCI Bus Controller, CMOS, PBGA503, 33 X 33 MM, 2.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, FLIP CHIP, BGA-503 | TSI107C-100JE |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107D-66JE
Tundra Semiconductor Corp
|
1 | PCI Bus Controller, CMOS, PBGA503, 33 X 33 MM, 2.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, FLIP CHIP, BGA-503 | TSI107D-66JE |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107D-133LE
Renesas Electronics
|
1 | The TSI107 Host Bridge for PowerPC provides system interconnect between PowerPC processors, PCI peripherals, and local memory. The TSI107 provides many of the other necessities for embedded applications, including a high-performance memory controller and dual processor support; two-channel flexible DMA controller, an interrupt controller, an I2O-ready message unit, an inter-integrated circuit controller (I2C), and low-skew clock drivers. | TSI107D-133LE |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107D-100JEY/K
Renesas Electronics
|
0 | TSI107D-100JEY/K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10799
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-6 | ASI10799 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10727
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 | ASI10727 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10708
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ASI10708 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10762
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10762 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LSI107315T
Taiwan Ostor Corporation
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 315V, 50% +Tol, 10% -Tol, 100uF, | LSI107315T |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LSI107200T
Tekcon Electronics Corp
|
1 | CAP,AL2O3,100UF,200VDC,10% -TOL,50% +TOL | LSI107200T |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107D-66JEY
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Micro Peripheral IC | TSI107D-66JEY |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107D-66JEY
Tundra Semiconductor Corp
|
1 | Multifunction Peripheral, CMOS, PBGA503, 33 X 33 MM, 2.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, FLIP CHIP, PLASTIC, BGA-503 | TSI107D-66JEY |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10791
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10791 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107D-133LE
Integrated Device Technology Inc
|
1 | FCBGA-503, Tray | TSI107D-133LE |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10723
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10723 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10734
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10734 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI107C-100JETR
Tundra Semiconductor Corp
|
1 | PCI Bus Controller, CMOS, PBGA503, 33 X 33 MM, 2.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, FLIP CHIP, BGA-503 | TSI107C-100JETR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10790
Advanced Semiconductor Inc
|
1 | RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4 | ASI10790 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||