Showing 25 of 3095 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB1201H-3.81-22
Summit Electronics
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1 | Other | STB1201H-3.81-22 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB1201H-3.81-6
Summit Electronics
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1 | Pluggable Terminal Block dual row horizontal header.ETB1220HH-3.81ttttPitch 3.81 mmttttPoles: 2P-24PttttRated voltage : 300VttttRated current : 8A | Other | STB1201H-3.81-6 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OSTB1206C1E-A
OptoSupply
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1 | LED; RGB; SMD; 1206; 1.8÷2.6/2.8÷3.6/2.8÷3.6VDC; 3x1.5x0.7mm; 120° | Other | OSTB1206C1E-A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GSTB-120-.270-G1
Glenair
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1 | Board to Board & Mezzanine Connectors .062" PITCH COMPLIANT PIN GSTB universal stacking connector For top, middle, and bottom-of-stack | Other | GSTB-120-.270-G1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NM50
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB12NM50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NM50FDT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB12NM50FDT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NM60N-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.41ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB12NM60N-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB1277
Kodenshi Sensing
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1 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR | STB1277 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB1277L
Kodenshi Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | STB1277L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NK80Z
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB12NK80Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB120NF10
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB120NF10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NM50ND
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB12NM50ND |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB120N10F4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB120N10F4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NK80Z-S
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB12NK80Z-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12N120K5
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB12N120K5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB1277O
Kodenshi Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP, | STB1277O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB1277-Y
Secos Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP | STB1277-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NK80Z
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB12NK80Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12100C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon | STB12100C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB120N4LF6TRL
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB120N4LF6TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NM60N
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.41ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB12NM60N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB120NH03LT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB120NH03LT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NM50N
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB12NM50N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB1277-O
Secos Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP | STB1277-O |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB12NM50NT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB12NM50NT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||