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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8227-H,LQ
Toshiba
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1 | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8 PD=1.5W F=1MHZ | Small Outline Packages | TPC8227-H,LQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8132
Toshiba
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1 | (1) Small footprint due to small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 20 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -40 V)(4) Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.2 mA) | Small Outline Packages | TPC8132 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8107(TE12L,Q,M)
Toshiba
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1 | MOSFET MOSFET P-Ch 30V 13A Rdson=0.007Ohm | Small Outline Packages | TPC8107(TE12L,Q,M) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816AC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | Dual-In-Line Packages | TPC816AC9G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8.2AHM3/86A
Vishay Semiconductors
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1 | DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Transient Suppressor | TPC8.2AHM3/86A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8.2AHM3_A/H
Vishay
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 7.02V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-277A | TPC8.2AHM3_A/H |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8.2HM3/87A
Vishay Semiconductors
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1 | DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Transient Suppressor | TPC8.2HM3/87A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8.2HM3/86A
Vishay Semiconductors
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1 | DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Transient Suppressor | TPC8.2HM3/86A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8.2AHM3/87A
Vishay Semiconductors
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1 | DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Transient Suppressor | TPC8.2AHM3/87A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8.2HM3_A/I
Vishay Intertechnologies
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-277A | TPC8.2HM3_A/I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8.2AHM3_A/I
Vishay
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 7.02V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-277A | TPC8.2AHM3_A/I |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8.2HM3_A/H
Vishay Intertechnologies
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-277A | TPC8.2HM3_A/H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8208(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8208(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8048-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8048-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8058-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8058-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2R5TPC82M
Sanyo Electronic Devices Corp (Components)
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 2.5V, 20% +Tol, 20% -Tol, 82uF, 2412, | 2R5TPC82M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8041(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8041(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8031-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8031-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8065-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8065-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8007-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8007-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8A05-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0176ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8A05-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8134,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8134,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8118(TE12L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8118(TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8064-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8064-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8017-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8017-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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