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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8053-H(TE12LQM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8053-H(TE12LQM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8057-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8057-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8124
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 40V, 0.0146ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8124 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8004-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8004-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8078(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8078(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A10-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A10-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8120(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8120(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A05-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0172ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A05-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8087
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8087 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8128.L1Q(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8128.L1Q(CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8068-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8068-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8014-H(TE12LQM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8014-H(TE12LQM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8024(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8024(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8031-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8031-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8036-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8036-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8006-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8006-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8055-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8055-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8015-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 40V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8015-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8047-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8047-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8075
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 33V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8075 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8063-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8063-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8084(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8084(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8085(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8085(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8047-H(T2L1,VM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8047-H(T2L1,VM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8105
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.051ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8105 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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