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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8093(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8093(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8084(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8084(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8093(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8093(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8107
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0429ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8107 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8066-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8066-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8103
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8103 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8104,L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPCC8104,L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8009(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8009(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8107(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0429ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8107(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8105,L1Q(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0104ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8105,L1Q(CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8131
Toshiba
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1 | P-ch MOSFET, -30 V, 0.0176 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅥ | TPCC8131 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8103(TE12L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPCC8103(TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8069
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8069 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8064-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8064-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8007
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8007 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8137,L1Q(M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 20V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8137,L1Q(M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8066-HLQS
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8066-HLQS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8006-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8006-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8137,L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8137,L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8007(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8007(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8009
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon | TPCC8009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8065-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8065-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8068-H(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCC8068-H(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8102(TE12L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPCC8102(TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCC8137
Toshiba
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1 | P-ch MOSFET, -20 V, 0.01 Ω@4.5V, TSON Advance, U-MOSⅥ | TPCC8137 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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