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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8101
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8103-H(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8103-H(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8602(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8602(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8013
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.0779ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8013(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8013(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8AA1
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8AA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8007-H(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8007-H(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8F01
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8F01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8H02(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | TPCP8H02(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8012(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8012(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8305
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.042ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8305 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8102(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8102(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8102
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8511(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8511(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8404
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8510(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN | TPCP8510(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8407
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 0.0628ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8407 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8011(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 0.0512ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8011(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8501
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8501 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8A05-H(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8A05-H(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8008-H(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8008-H(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8010(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8010(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8009(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8009(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8203
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 40V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8203 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8206,LF(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8206,LF(CM |
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